Turismo. Enit lancia raduni annuali di formazione su siti Unesco

(DIRE) 25 Set. – Enit-Agenzia Nazionale del Turismo lancia il raduno annuale sui nuovi trend della domanda turistica per formare i sellers del settore, anche in vista della partecipazione dell’Agenzia (rappresentata per l’occasione dal componente del Cda Enit Sandro Pappalardo) al Wte dal 26 al 28 settembre a Palazzo Venezia a Roma, il salone mondiale del Turismo che quest’anno avra’ un focus proprio sui siti patrimonio dell’Umanita’ e organizzato dalla Regione Lazio. Full immersion, quindi, con oltre 100 sellers tutti radunati in Enit dalla direttrice marketing Maria Elena Rossi e dalla responsabile Ufficio Studi Elena Di Raco per posizionare correttamente i prodotti sul mercato: pubblico e privato insieme per affrontare i cambiamenti della domanda. Attraverso i seminari di aggiornamento Enit sara’ possibile migliorare la qualita’ dei servizi: i turisti che infatti vengono frequentemente in Italia cercano nuove attrazioni e quindi sta all’Italia offrire nuove occasioni di visitazione. L’Italia spicca per il numero piu’ alto di location culturali riconosciute a livello mondiale e batte per siti Cina, Germania e Spagna. Ma non sono solo le grandi citta’ d’arte presidi della cultura: i maggiori siti Unesco si concentrano nei piccoli centri che quindi evitano l’effetto spopolamento e aprono le porte ai turisti. Grazie al riconoscimento Unesco crescono quindi le presenze nelle piccole realta’. I borghi hanno vissuto una fase di sviluppo e valorizzazione dal 2014 al 2018: il 5,3 per cento dei comuni che nel 2014 accoglievano massimo 2mila presenze, nel 2018 sono saliti a 10mila e il 5,6 per cento dei comuni che erano a 10mila hanno raggiunto quota 100mila. I siti Unesco rappresentano anche un forte attrattore di visitazione delle destinazioni da parte dei turisti di ritorno da mete lontane: 10 milioni di viaggiatori per 64 milioni di presenze che spendono per 4,1 miliardi di euro ogni anno in Italia. (Red/ Dire) 17:03 25-09-19

banner

Recommended For You

About the Author: PrM 1